Gate and Substrate Currents in Deep Submicron MOSFETs

B. Szelag; F. Balestra; G. Ghibaudo; M. Dutoit

doi:10.1051/jp4:1996309

Article Dans Une Revue Journal de Physique IV Proceedings Année : 1996

Gate and Substrate Currents in Deep Submicron MOSFETs

, , ,

B. Szelag

Fonction : Auteur

F. Balestra

Fonction : Auteur
PersonId : 172123
IdHAL : francis-balestra
IdRef : 061190462

G. Ghibaudo

Fonction : Auteur
PersonId : 170596
IdHAL : gerard-ghibaudo
ORCID : 0000-0001-9901-0679
IdRef : 069253099

M. Dutoit

Fonction : Auteur

Résumé

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Soumis le : lundi 4 février 2008-08:00:00

Dernière modification le : jeudi 19 octobre 2023-13:49:48

Archivage à long terme le : jeudi 20 mai 2010-18:28:25

Dates et versions

jpa-00254227 , version 1 (04-02-2008)

Identifiants

HAL Id : jpa-00254227 , version 1
DOI : 10.1051/jp4:1996309

Citer

B. Szelag, F. Balestra, G. Ghibaudo, M. Dutoit. Gate and Substrate Currents in Deep Submicron MOSFETs. Journal de Physique IV Proceedings, 1996, 06 (C3), pp.C3-61-C3-66. ⟨10.1051/jp4:1996309⟩. ⟨jpa-00254227⟩

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